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  • 半导体物理学(第7版)[平装]
  • 共3个商家     36.00元~38.25
  • 作者:刘恩科(作者),朱秉升(作者),罗晋生(作者)
  • 出版社:电子工业出版社;第1版(2011年3月1日)
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  • ISBN:9787121129902

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    编辑推荐

    《半导体物理学(第7版)》:普通高等教育“十一五”国家级规划教材,电子科学与技术类专业精品教材。

    目录

    第1章 半导体中的电子状态
    1.1 半导体的晶格结构和结合性质
    1.1.1 金刚石型结构和共价键
    1.1.2 闪锌矿型结构和混合键
    1.1.3 纤锌矿型结构
    1.2 半导体中的电子状态和能带
    1.2.1 原子的能级和晶体的能带
    1.2.2 半导体中电子的状态和能带
    1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带
    1.3 半导体中电子的运动有效质量
    1.3.1 半导体中E(k)与k的关系
    1.3.2 半导体中电子的平均速度
    1.3.3 半导体中电子的加速度
    1.3.4 有效质量的意义
    1.4 本征半导体的导电机构空穴
    1.5 回旋共振
    1.5.1 k空间等能面
    1.5.2 回旋共振
    1.6 硅和锗的能带结构
    1.6.1 硅和锗的导带结构
    1.6.2 硅和锗的价带结构
    1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构
    1.7.1 锑化铟的能带结构
    1.7.2 砷化镓的能带结构
    1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构
    1.7.4 混合晶体的能带结构
    1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构
    1.8.1 二元化合物的能带结构
    1.8.2 混合晶体的能带结构
    1.9 Si1-xGex合金的能带
    1.10 宽禁带半导体材料
    1.10.1 GaN、AlN的晶格结构和能带
    1.10.2 SiC的晶格结构与能带
    习题
    参考资料

    第2章 半导体中杂质和缺陷能级
    2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
    2.1.1 替位式杂质间隙式杂质
    2.1.2 施主杂质、施主能级
    2.1.3 受主杂质、受主能级
    2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算
    2.1.5 杂质的补偿作用
    2.1.6 深能级杂质
    2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级
    2.3 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级
    2.4 缺陷、位错能级
    2.4.1 点缺陷
    2.4.2 位错
    习题
    参考资料

    第3章 半导体中载流子的统计分布
    3.1 状态密度
    3.1.1 空间中量子态的分布
    3.1.2 状态密度
    3.2 费米能级和载流子的统计分布
    3.2.1 费米分布函数
    3.2.2 玻耳兹曼分布函数
    3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度
    3.2.4 载流子浓度乘积noPo
    3.3 本征半导体的载流子浓度
    3.4 杂质半导体的载流子浓度
    3.4.1 杂质能级上的电子和空穴
    3.4.2 n型半导体的载流子浓度
    3.5 一般情况下的载流子统计分布
    3.6 简并半导体
    3.6.1 简并半导体的载流子浓度
    3.6.2 简并化条件
    3.6.3 低温载流子冻析效应
    3.6.4 禁带变窄效应
    3.7 电子占据杂质能级的概率
    3.7.1 电子占据杂质能级概率的讨论
    3.7.2 求解统计分布函数
    习题

    ……
    第4章 半导体的导电性
    第5章 非平衡载流子
    第6章 pn结
    第7章 金属和半导体的接触
    第8章 半导体表面与MIS结构
    第9章 半导体异质结构
    第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象
    第11章 半导体的热电性质
    第12章 半导体磁和压阻效应
    第13章 非晶态半导体
    附录
    主要参数符号表
    参考资料

    文摘

    版权页:



    插图:



    半导体具有许多独特的物理性质,这与半导体中电子的状态及其运动特点有密切关系。为了研究和利用半导体的这些物理性质,本章将简要介绍半导体单晶材料中的电子状态及其运动规律。
    半导体单晶材料和其他固态晶体一样,是由大量原子周期性重复排列而成,而每个原子又包含原子核和许多电子。如果能够写出半导体中所有相互作用着的原子核和电子系统的薛定谔方程,并求出其解,便可以了解半导体的许多物理性质。但是,这是一个非常复杂的多体问题,不可能求出其严格解,只能用近似的处理方法——单电子近似来研究固态晶体中电子的能量状态。所谓单电子近似,即假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。用单电子近似法研究晶体中电子状态的理论称为能带论。有关能带论的内容在固体物理学课程中已经比较完整地介绍过了,这里仅作简要回顾,并介绍几种重要半导体材料的能带结构。